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SK海力士于當地時間8日，在美國加利福尼亞州圣克拉拉舉辦的“2023閃存峰會”上，公布了321層1Tb TLC 4D NAND閃存開發的進展，并展示了現階段開發的樣品。作為業界首家公布300層以上NAND具體開發進展的公司，SK海力士宣布，將進一步完善321層NAND閃存，并計劃于2025年上半期開始量產。

（文章來源：證券時報·e公司）