1、P型半導體也稱為空穴型半導體。

2、P型半導體即空穴濃度遠大于自由電子濃度的雜質半導體。

(相關資料圖)

3、在純凈的硅晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半導體。

4、在P型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。

5、空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。

6、摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高，導電性能就越強。

7、N型半導體也稱為電子型半導體。

8、N型半導體即自由電子濃度遠大于空穴濃度的雜質半導體。

9、在純凈的硅晶體中摻入五價元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半導體。

10、在N型半導體中，自由電子為多子，空穴為少子，主要靠自由電子導電。

11、自由電子主要由雜質原子提供，空穴由熱激發形成。

12、摻入的雜質越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電性能就越強。

13、本征半導體 不含雜質且無晶格缺陷的半導體稱為本征半導體。

14、在極低溫度下，半導體的價帶是滿帶(見能帶理論)，受到熱激發后，價帶中的部分電子會越過禁帶進入能量較高的空帶，空帶中存在電子后成為導帶，價帶中缺少一個電子后形成一個帶正電的空位，稱為空穴。

15、導帶中的電子和價帶中的空穴合稱電子 - 空穴對，均能自由移動，即載流子，它們在外電場作用下產生定向運動而形成宏觀電流，分別稱為電子導電和空穴導電。

16、這種由于電子-空穴對的產生而形成的混合型導電稱為本征導電。

17、導帶中的電子會落入空穴，電子-空穴對消失，稱為復合。

18、復合時釋放出的能量變成電磁輻射（發光）或晶格的熱振動能量（發熱）。

19、在一定溫度下，電子 - 空穴對的產生和復合同時存在并達到動態平衡，此時半導體具有一定的載流子密度，從而具有一定的電阻率。

20、溫度升高時，將產生更多的電子 - 空穴對，載流子密度增加，電阻率減小。

21、無晶格缺陷的純凈半導體的電阻率較大，實際應用不多，。

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